Линейный коэффициент поглощения0.532 мкм: α<1% см-1, 1.0642 мкм: α<0.1% см-1 | Диапазон генерации второй гармоникиType I (оое) 0.410 – 3.5 мкм, Type II (оее, еое) 0.525 – 3.5 мкм | Диапазон прозрачности на уровне "---"0.190 − 3.5 мкм |
Коэффициент теплопроводности1.2 Вт/(м×К) (⊥c); 1.6 Вт/(м×К) (//c) | Коэффициенты теплового расширенияα11 = 4×10−6K−1, α33= 36×10−6K−1 | Кристаллическая структураТригональная сингония; Точечная группа 3m; Кристаллографическая группа (пространственная группа) R3c |
Оптическое повреждение материалаI > 1×109 Вт/см2 для 1064 нм, TEM00, 10 нс, (только полировка), 10 Гц; I > 0.5×109 Вт/см2 для 1064 нм, TEM00, 10 нс, (просветляющее покрытие), 10 Гц; I > 0.3×109 Вт/см2 для 532 нм, TEM00, 10 нс, (просветляющее покрытие), 10 Гц | Твёрдость по Моосу4 | Тип кристаллаОтрицательный одноосный (n0>ne) |
BBO - Нелинейный кристалл бета- бората бария
Кристалл бета бората бария (ВВО) – отрицательный одноосный кристалл, применяемый для удвоения перестраиваемых лазерах на александрите и красителях. Коэффициент эффективности нелинейности генерации второй оптической гармоники у материала в 6 раз больше, чем у дигидроортофосфат калия.
Сферы применения
Материал используют для суммирования частот мощных лазеров, излучение которых приводит к нагреву нелинейных компонентов. Связано это с тем, что у ВВО высокий порог лазерной прочности. Не рекомендуется устанавливать кристалл в многомодовые лазеры и лазеры со значительным расхождением луча, т.к. у него маленькая угловая ширина синхронизма.
Материал гигроскопичен, поэтому работать с ним можно только в сухом помещении. К другим особенностям β-бората калия относят:
- широкий диапазон согласования фаз;
- разные уровни прозрачности;
- оптическую однородность.
Предприятие CASTECH выращивает кристаллы флюсовым методом. Эта технология позволяет добиться высокой скорости формирования материала при полном контроле процесса.
Параметры кристалла BBO фирмы Castech
Допуск по размерам |
±0.1 мм |
Допуск по длине | ±0.1 мм (L<2.5 мм) +0.5/-0.1 (L>2.5 мм) |
Точность ориентации угла среза | ≤0.25° |
Искажение волнового фронта | < λ/8 @ 633 нм |
Отклонение от параллельности | < 20 угловых секунд |
Перпендикулярность | < 5 угловых минут |
Защитные фаски | < 0.2 мм x 45° |
Качество поверхности | DBAR, R<0,2% при 1064 нм и R<0,5% при 532 нм, I>300 MВт/см2 на обеих длинах волн; BBAR для ГВГ перестраиваемых лазеров; Широкополосное P-покрытие для применений ОПУ |
Предложение компании по комплектации |
Длина кристалла от 0.005 мм до 25 мм и размер до 15x15x15 мм3; Просветляющее покрытие, монтаж и повторная полировка; Доставка в течение 10 дней для полированных кристаллов и 15 дней для кристаллов с просветлением |
Параметры кристалла BBO фирмы Altechna
Допуск по размерам |
+0/-0.1 мм |
Точность ориентации угла среза | ≤ 30 угловых минут |
Отклонение от параллельности | < 20 угловых секунд |
Искажение волнового фронта | < λ/8 @ 632.8 нм |
Перпендикулярность | < 5 угловых минут |
Защитные фаски | < 0.1 мм x 45° |
Качество поверхности | 10-5 S-D |
Опции для заказа
Апертура W x H, мм | Длина L, мм | Тип нелинейно-оптического преобразования | Направление среза в кристалле θ/φ, град | Угол отклонения ρ, град | Покрытия S1/S2, нм/нм (отдельное описание) | Коэффициент эффективной нелинейности deff, пм/В | Температурная ширина синхронизма 2∆Tcr, °C | Спектральная ширина синхронизма 2∆λcr, нм | Угловая ширина синхронизма 2∆θcr, град. | Угловая ширина синхронизма 2∆φcr, град. |
3 x 3 | 10 | ГВГ eoe 1064nm→532nm |
23/90 |
3.2 | Код покрытия | 2.18 | 41.0 | 1.1 | 0.033 | - |
Апертура W x H, мм | Длина L, мм | Тип нелинейно-оптического преобразования | Направление среза в кристалле θ/φ, град | Угол отклонения ρ, град | Покрытия S1/S2, нм/нм (отдельное описание) | Коэффициент эффективной нелинейности deff, пм/В | Температурная ширина синхронизма 2∆Tcr, °C | Спектральная ширина синхронизма 2∆λcr, нм | Угловая ширина синхронизма 2∆θcr, град. | Угловая ширина синхронизма 2∆φcr, град. |
3 x 3 | 10 | ГВГ оoe 1064nm+532nm→355nm | 31/90 | 4.13 | Код покрытия | 2.05 | 15.4 | - | 0.017 | - |
Линейный коэффициент поглощения | 0.532 мкм: α<1% см-1, 1.0642 мкм: α<0.1% см-1 |
---|---|
Диапазон генерации второй гармоники | Type I (оое) 0.410 – 3.5 мкм, Type II (оее, еое) 0.525 – 3.5 мкм |
Диапазон прозрачности на уровне "---" | 0.190 − 3.5 мкм |
Коэффициент теплопроводности | 1.2 Вт/(м×К) (⊥c); 1.6 Вт/(м×К) (//c) |
Коэффициенты теплового расширения | α11 = 4×10−6K−1, α33= 36×10−6K−1 |
Кристаллическая структура | Тригональная сингония; Точечная группа 3m; Кристаллографическая группа (пространственная группа) R3c |
Оптическое повреждение материала | I > 1×109 Вт/см2 для 1064 нм, TEM00, 10 нс, (только полировка), 10 Гц; I > 0.5×109 Вт/см2 для 1064 нм, TEM00, 10 нс, (просветляющее покрытие), 10 Гц; I > 0.3×109 Вт/см2 для 532 нм, TEM00, 10 нс, (просветляющее покрытие), 10 Гц |
Твёрдость по Моосу | 4 |
Тип кристалла | Отрицательный одноосный (n0>ne) |
Уравнения Селмейера | nо2=2.7359+0.01878/(λ2-0.01822)-0.01354λ2, nе2=2.3753+0.01224/(λ2-0.01667)-0.01516λ2 |