Режим работы:
с 9:00 до 18:00
Выходные: СБ - ВС

Высокоскоростной оптический детектор InGaAs 175 пс с активным диаметром 0,1 мм

  • Высокоскоростной оптический детектор InGaAs 175 пс с активным диаметром 0,1 мм

  • Производитель: Ophir
  • Код товара: JRW3DZ

Аксессуарная нить M20x1, Время нарастания/время спада <175 ps, Выходной разъем BNC, Диаметр активной области 0.1 mm, Длина волны пиковой чувствительности 1600 nm, Зона детектора 0.0079 mm², Источник напряжения смещения Batteries, Максимальная средняя мощность 10 mW,

Быстродействующий оптический детектор ФПД-ИГ-175 предназначен для визуализации и измерения временных характеристик лазерных лучей в спектральном диапазоне от 900 до 1700 нм. Он оснащен PIN-фотодиодом InGaAs и используется для преобразования оптических сигналов в электрические сигналы, которые затем измеряются с помощью измерительных приборов сторонних производителей, таких как осциллографы или анализаторы спектра. FPD-IG-175 имеет время нарастания 175 пс.

  • Фотодиод InGaAs для спектрального диапазона 900-1700 нм
  • Быстрое время нарастания 175 пс
  • Активная область диаметром 0,1 мм
  • Дополнительные аттенюаторы, оптоволоконные и сферические адаптеры
  • Посмотреть все функции
Техническое описание быстрых фотодиодных детекторов (FPD) (448,2 КБ, PDF)
Чертеж ФПД-ИГ-175 (179 КБ, PDF)
Краткий справочник FPD-IG-175 (59,8 КБ, PDF)

Характеристики Высокоскоростной оптический детектор InGaAs 175 пс с активным диаметром 0,1 мм

Характеристики
Аксессуарная нить M20x1
Время нарастания/время спада <175 ps
Выходной разъем BNC
Диаметр активной области 0.1 mm
Длина волны пиковой чувствительности 1600 nm
Зона детектора 0.0079 mm²
Источник напряжения смещения Batteries
Максимальная средняя мощность 10 mW
Монтаж (резьбовые отверстия) 8-32 & M4
наименование товара FPD-IG-175
Напряжение смещения 6 VDC
Пропускная способность >2 GHz
Размеры 54 x 34 x 40 mm (LxWxD)
Соответствие CE Yes
Соответствие UKCA Yes
Соответствие требованиям RoHS Китая Yes
Спектральный диапазон 900-1700 nm
Темный ток <2 nA
Тип датчика InGaAs
Чувствительность (облученность) на пиковой длине волны 4.3 x 10⁻³ V/(W/cm²)
Чувствительность на пиковой длине волны 1.1 A/W
Шумовая эквивалентная мощность <0.03 pW/√Hz