Кремниевый фотодиодный датчик энергии от 1 нДж до 13 мкДж
Характеристики
| Длина кабеля1.5 m | Максимальная средняя мощность50 mW at 800 nm | Максимальная средняя плотность мощности50 W/cm² |
| Максимальная частота20,000 Hz | Максимальная ширина импульса5 μs | Максимальная энергия импульса13 µJ |
| МатериалUV-Silicon | Минимальная энергия импульса1 nJ | наименование товараPD10-C |
Описание
Таблица длин волн и частоты повторений (178,6 КБ, PDF)
Чертеж PD10-C и PD10-PJ-C (127,5 КБ, PDF)
Кремниевый фотодиодный датчик энергии от 1 нДж до 13 мкДж
Кремниевый фотодиодный датчик энергии от 1 нДж до 13 мкДж — это высокоточное устройство, предназначенное для измерения энергии в диапазоне от 1 нДж до 13 мкДж. Он обладает высокой чувствительностью и точностью, что позволяет использовать его в различных областях, включая научные исследования, медицину и промышленность.
Основные характеристики:
- диапазон измерения: от 1 нДж до 13 мкДж;
- высокая точность и чувствительность;
- широкий спектр применения.
Этот кремниевый фотодиодный датчик энергии является незаменимым инструментом для точных измерений в различных областях деятельности.
Фотодиодный датчик энергии PD10-C предназначен для низких энергий и имеет апертуру 10 мм. Он может измерять энергию от 1 нДж до 13 мкДж. Он может работать с частотой повторения до 20 кГц и охватывает спектральный диапазон от 190 до 1100 нм.
- Кремниевый фотодиод с диапазоном от 190 до 1100 нм.
- Диапазон измерения энергии от 1 нДж до 13 мкДж
- Диаметр отверстия 10 мм
- Частота повторения до 20 кГц
- Датчик PD10-C не имеет аккредитации ISO/IEC 17025:2017. Посмотреть все функции
Таблица длин волн и частоты повторений (178,6 КБ, PDF)
Чертеж PD10-C и PD10-PJ-C (127,5 КБ, PDF)
Технические характеристики Кремниевый фотодиодный датчик энергии от 1 нДж до 13 мкДж
Характеристики
| Длина кабеля | 1.5 m |
|---|---|
| Максимальная средняя мощность | 50 mW at 800 nm |
| Максимальная средняя плотность мощности | 50 W/cm² |
| Максимальная частота | 20,000 Hz |
| Максимальная ширина импульса | 5 μs |
| Максимальная энергия импульса | 13 µJ |
| Материал | UV-Silicon |
| Минимальная энергия импульса | 1 nJ |
| наименование товара | PD10-C |
| Размер диафрагмы | Ø10 mm |
| Размеры | Ø62 x 22 mm |
| Соответствие CE | Yes |
| Соответствие UKCA | Yes |
| Соответствие требованиям RoHS Китая | Yes |
| Спектральный диапазон | 190-1100 nm |
Вы смотрели
На складе
Код товара: VML8T0 VML8T0 - HgCdTe фотогальванические детекторы, рабочая длина волны: 8.0 мкм, активная область: 1 мм2, Thorlabs
На складе
Код товара: VML8T0 VML8T0 - HgCdTe фотогальванические детекторы, рабочая длина волны: 8.0 мкм, активная область: 1 мм2, Thorlabs
0.00р.
