FDS100-P50 - Si фотодиод, диапазон длин волн: 350 - 1100 нм, время нарастания импульса: 10 нс, активная область: 3.6х3.6 мм, 50 шт., Thorlabs
0.00р.
FDS100-P50 - Si фотодиод, диапазон длин волн: 350 - 1100 нм, время нарастания импульса: 10 нс, активная область: 3.6х3.6 мм, 50 шт., Thorlabs
Характеристики
| АртикулFDS100-P50 |
Описание
FDS100-P50 - Si фотодиод, диапазон длин волн: 350 - 1100 нм, время нарастания импульса: 10 нс, активная область: 3.6х3.6 мм, 50 шт., Thorlabs
FDS100-P50 — это фотодиод от компании Thorlabs, который предназначен для регистрации и преобразования оптического излучения в электрический сигнал.
Основные характеристики:
- диапазон длин волн: 350–1100 нм;
- время нарастания импульса: 10 нс;
- активная область: 3,6 х 3,6 мм.
В комплекте 50 штук.
Фотодиод FDS100-P50 идеально подходит для применения в различных областях, включая оптические измерения, спектроскопию, лазерные технологии и другие приложения, требующие высокой чувствительности и быстрого отклика. FDS100-P50-AutoCADPDF.pdf 180.5 Кб
FDS100-P50-SpecSheet.pdf 1.5 MБ
Технические характеристики FDS100-P50 - Si фотодиод, диапазон длин волн: 350 - 1100 нм, время нарастания импульса: 10 нс, активная область: 3.6х3.6 мм, 50 шт., Thorlabs
Характеристики
| Артикул | FDS100-P50 |
|---|
Вы смотрели
На складе
Код товара: FGA015 FGA015 - InGaAs фотодиод, диапазон длин волн: 800 - 1700 нм, время нарастания импульса: 300 пс, активная область: 150 мкм, Thorlabs
На складе
Код товара: FGA015 FGA015 - InGaAs фотодиод, диапазон длин волн: 800 - 1700 нм, время нарастания импульса: 300 пс, активная область: 150 мкм, Thorlabs
0.00р.
