Атомарная концентрация Ti0.02 – 0.5 % | Диапазон прозрачности0.14 – 6.5 мкм | Коэффициенты линейного расширения∥с– 4.78×10-6 К-1, ⊥c–5.31×10-6 К-1 |
Кристаллическая структурагексагональная сингония | Плотность3.98 г/см3 | Стандартная ориентация кристалла∥ а |
Твёрдость по Моосу9 | Теплоемкость0.761 Дж/(г×K) | Теплопроводность∥c - 33 Вт/(м×K), ⊥c - 35 Вт/(м×K) |
Ti:Sa - Лазерный кристалл сапфира, легированный титаном
Производители: Castech, Altechna
Кристалл сапфира легированный титаном(Ti:Sapphire) является наиболее часто используемым лазерным кристаллом для перестраиваемых в широком частотном диапазоне и сверхкоротких импульсных лазеров с высокими коэффициентами усиления и выходной мощностью. CASTECH обладает передовым методом роста кристаллов:метод температурного градиента (TGT) и производит кристаллы Ti:Sapphire большого размера (диаметр 30x30 мм), высокого качества, без рассеяния света и с плотностью дислокаций менее 102 см-2. Кристаллы сапфира, выращенные метоломTGT, характеризуется ориентированным ростом (0001), высоким уровнем легирования (α490=4,0 см-1), высокими коэффициентом усиления и лучевой стойкостью/
Характеристики генерационных переходов
Кристаллы | Длина волны генерации, нм | Ширина линии генерации | Сечение генерационного перехода, 10-19 см2 | Время жизни верхнего лазерного уровня, мкс | Интенсивность насыщения Is, кВт/см2 | |
Ti:Sapphire | 2E – 2T2 | 650 – 1180, Пик – 795 | 230 – 300 нм, 2000– 4300 см-1 | ||c–4.1 , ⊥c – 2.0 | 3.2 – 5.0 | 125.0 –281.0 |
Параметры кристалла фирмы Castech
Ориентация | Оптическая ось C располагается нормально к оси стержня |
КонцентрацияTi2O3 | 0,06 – 0,26атм% |
Критерий качества (FOM) | 100~250 (>250 доступен по запросу) |
α490 | 1,0~4,0 см-1 |
Диаметр | 2~30 мм или другой |
Длина | 2~30 мм или другая |
Конфигурация торцов | Плоский/Плоский или под углом Брюстера/под углом Брюстера |
Плоскостность |
<λ/10 для 633 нм |
Параллельность | <10" |
Качество поверхности | <40/20MIL-PRF-13830B |
Искажение волнового фронта | <λ/4 /дюйм |
Параметры кристалла фирмы Altechna
Атомарная концентрация Ti | 0.05 – 0.3% |
Качество поверхности | 10-5 S-D |
Диаметр апертуры | 3 – 50 мм |
Длина стержня | 5 – 30 мм |
Искажение волнового фронта | <λ/4 @ 632.8 нм |
FOM | >150 |
Покрытия | Просветляющие покрытия для стандартного среза и полированные торцы при вырезе под углом Брюстера |
Оптический пробой | J>3 Дж/см2 @ 800 нм, 200 пс, 10 Гц; J>7 Дж/см2 @ 532 нм, 5 нс, 10 Гц |
Атомарная концентрация Ti | 0.02 – 0.5 % |
---|---|
Диапазон прозрачности | 0.14 – 6.5 мкм |
Коэффициенты линейного расширения | ∥с– 4.78×10-6 К-1, ⊥c–5.31×10-6 К-1 |
Кристаллическая структура | гексагональная сингония |
Плотность | 3.98 г/см3 |
Стандартная ориентация кристалла | ∥ а |
Твёрдость по Моосу | 9 |
Теплоемкость | 0.761 Дж/(г×K) |
Теплопроводность | ∥c - 33 Вт/(м×K), ⊥c - 35 Вт/(м×K) |
Химическая формула | Ti3+:Al2O3 (Ti:Sapphire) |