| Атомарная концентрация Ti0.02 – 0.5 % | Диапазон прозрачности0.14 – 6.5 мкм | Коэффициенты линейного расширения∥с– 4.78×10-6 К-1, ⊥c–5.31×10-6 К-1 | 
| Кристаллическая структурагексагональная сингония | Плотность3.98 г/см3 | Стандартная ориентация кристалла∥ а | 
| Твёрдость по Моосу9 | Теплоемкость0.761 Дж/(г×K) | Теплопроводность∥c - 33 Вт/(м×K), ⊥c - 35 Вт/(м×K) | 
Ti:Sa - Лазерный кристалл сапфира, легированный титаном
Ti:Sa — это лазерный кристалл сапфира, легированный титаном. Он обладает уникальными свойствами, которые делают его идеальным материалом для использования в лазерных технологиях.
Основные характеристики Ti:Sa:
- высокая прозрачность;
 - устойчивость к высоким температурам;
 - долговечность;
 - способность генерировать мощное лазерное излучение.
 
Благодаря этим свойствам, Ti:Sa находит широкое применение в различных областях, включая медицину, науку и промышленность.
Если вы ищете высококачественный лазерный кристалл сапфира, легированный титаном, обратитесь в наш интернет-магазин. Мы предлагаем широкий ассортимент товаров по доступным ценам.
 Производители: Castech, Altechna
     Кристалл сапфира легированный титаном(Ti:Sapphire) является наиболее часто используемым лазерным кристаллом для перестраиваемых в широком частотном диапазоне и сверхкоротких импульсных лазеров с высокими коэффициентами усиления и выходной мощностью. CASTECH обладает передовым методом роста кристаллов:метод температурного градиента (TGT) и производит кристаллы Ti:Sapphire большого размера (диаметр 30x30 мм), высокого качества, без рассеяния света и с плотностью дислокаций менее 102 см-2. Кристаллы сапфира, выращенные метоломTGT, характеризуется ориентированным ростом (0001), высоким уровнем легирования (α490=4,0 см-1), высокими коэффициентом усиления и лучевой стойкостью/
 Характеристики генерационных переходов
Кристаллы  | Длина волны генерации, нм  | Ширина линии генерации  | Сечение генерационного перехода, 10-19 см2  | Время жизни верхнего лазерного уровня, мкс  | Интенсивность насыщения Is, кВт/см2  | |
Ti:Sapphire  | 2E – 2T2  | 650 – 1180, Пик – 795  | 230 – 300 нм, 2000– 4300 см-1  | ||c–4.1 , ⊥c – 2.0  | 3.2 – 5.0  | 125.0 –281.0  | 
 Параметры кристалла фирмы Castech
Ориентация  | Оптическая ось C располагается нормально к оси стержня  | 
КонцентрацияTi2O3  | 0,06 – 0,26атм%  | 
Критерий качества (FOM)  | 100  | 
α490  | 1,04,0 см-1  | 
Диаметр  | 2  | 
Длина  | 230 мм или другая  | 
Конфигурация торцов  | Плоский/Плоский или под углом Брюстера/под углом Брюстера  | 
Плоскостность  | <λ/10 для 633 нм  | 
Параллельность  | <10"  | 
Качество поверхности  | <40/20MIL-PRF-13830B  | 
Искажение волнового фронта  | <λ/4 /дюйм  | 
 Параметры кристалла фирмы Altechna
Атомарная концентрация Ti  | 0.05 – 0.3%  | 
Качество поверхности  | 10-5 S-D  | 
Диаметр апертуры  | 3 – 50 мм  | 
Длина стержня  | 5 – 30 мм  | 
Искажение волнового фронта  | <λ/4 @ 632.8 нм  | 
FOM  | >150  | 
Покрытия  | Просветляющие покрытия для стандартного среза и полированные торцы при вырезе под углом Брюстера  | 
Оптический пробой  | J>3 Дж/см2 @ 800 нм, 200 пс, 10 Гц; J>7 Дж/см2 @ 532 нм, 5 нс, 10 Гц  | 
| Атомарная концентрация Ti | 0.02 – 0.5 % | 
|---|---|
| Диапазон прозрачности | 0.14 – 6.5 мкм | 
| Коэффициенты линейного расширения | ∥с– 4.78×10-6 К-1, ⊥c–5.31×10-6 К-1 | 
| Кристаллическая структура | гексагональная сингония | 
| Плотность | 3.98 г/см3 | 
| Стандартная ориентация кристалла | ∥ а | 
| Твёрдость по Моосу | 9 | 
| Теплоемкость | 0.761 Дж/(г×K) | 
| Теплопроводность | ∥c - 33 Вт/(м×K), ⊥c - 35 Вт/(м×K) | 
| Химическая формула | Ti3+:Al2O3 (Ti:Sapphire) |