Высокоскоростной оптический детектор InGaAs 175 пс с активным диаметром 0,1 мм
Популярный
Характеристики
| Аксессуарная нитьM20x1 | Время нарастания/время спада<175 ps | Выходной разъемBNC |
| Диаметр активной области0.1 mm | Длина волны пиковой чувствительности1600 nm | Зона детектора0.0079 mm² |
| Источник напряжения смещенияBatteries | Максимальная средняя мощность10 mW | Монтаж (резьбовые отверстия)8-32 & M4 |
Описание
Чертеж ФПД-ИГ-175 (179 КБ, PDF)
Краткий справочник FPD-IG-175 (59,8 КБ, PDF)
Высокоскоростной оптический детектор InGaAs 175 пс с активным диаметром 0,1 мм
Быстродействующий оптический детектор ФПД-ИГ-175 предназначен для визуализации и измерения временных характеристик лазерных лучей в спектральном диапазоне от 900 до 1700 нм. Он оснащен PIN-фотодиодом InGaAs и используется для преобразования оптических сигналов в электрические сигналы, которые затем измеряются с помощью измерительных приборов сторонних производителей, таких как осциллографы или анализаторы спектра. FPD-IG-175 имеет время нарастания 175 пс.
- Фотодиод InGaAs для спектрального диапазона 900-1700 нм
- Быстрое время нарастания 175 пс
- Активная область диаметром 0,1 мм
- Дополнительные аттенюаторы, оптоволоконные и сферические адаптеры Посмотреть все функции
Чертеж ФПД-ИГ-175 (179 КБ, PDF)
Краткий справочник FPD-IG-175 (59,8 КБ, PDF)
Технические характеристики Высокоскоростной оптический детектор InGaAs 175 пс с активным диаметром 0,1 мм
Характеристики
| Аксессуарная нить | M20x1 |
|---|---|
| Время нарастания/время спада | <175 ps |
| Выходной разъем | BNC |
| Диаметр активной области | 0.1 mm |
| Длина волны пиковой чувствительности | 1600 nm |
| Зона детектора | 0.0079 mm² |
| Источник напряжения смещения | Batteries |
| Максимальная средняя мощность | 10 mW |
| Монтаж (резьбовые отверстия) | 8-32 & M4 |
| наименование товара | FPD-IG-175 |
| Напряжение смещения | 6 VDC |
| Пропускная способность | >2 GHz |
| Размеры | 54 x 34 x 40 mm (LxWxD) |
| Соответствие CE | Yes |
| Соответствие UKCA | Yes |
| Соответствие требованиям RoHS Китая | Yes |
| Спектральный диапазон | 900-1700 nm |
| Темный ток | <2 nA |
| Тип датчика | InGaAs |
| Чувствительность (облученность) на пиковой длине волны | 4.3 x 10⁻³ V/(W/cm²) |
| Чувствительность на пиковой длине волны | 1.1 A/W |
| Шумовая эквивалентная мощность | <0.03 pW/√Hz |
